パッケージ内にニアーメモリを持った FPGA

インテルのニア・メモリー・ソリューションでは、高集積度の DRAM が同一パッケージ内で FPGA に隣接して統合されています。この構造により、従来のメインメモリーの最高 10 倍の帯域幅で、はるかに高速にイン・パッケージ・メモリーにアクセスすることができます。また、このニアメモリー構成は、ボード面積も縮小しながら FPGA とメモリー間のトレースを短縮し、システム消費電力も低減します。

DRAM システム・イン・パッケージ (SiP) ソリューションは、高帯域幅メモリー (HBM2) を利用してデータセンター、放送、ワイヤーライン・ネットワーキング、高性能コンピューティング・システムなど、増加の一途をたどるデータ量を処理する高性能システムのメモリー帯域幅に関するボトルネックを解消します。

HBM2 DRAM

HBM2 DRAM は、シリコン貫通ビア (TSV) テクノロジーによって複数の DRAM ダイを積層した 3D メモリーです。HBM2 DRAMは、ディスクリート DDR ベースのソリューションより高いメモリー帯域幅、低いシステム消費電力、小さなフォームファクターによって最高のワットあたり帯域幅を提供します。

関連リンク

Stratix® 10 MX デバイスは、HBM2 タイルを高性能モノリシック 14nm FPGA ダイに隣接して集積し、ディスクリート DRAM ソリューションの 10 倍を超えるメモリー帯域幅を提供します。